Hersteller Produktnummer:
FCMT199N60
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCMT199N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
Inventar:
18529 Stück Neu Original Auf Lager
12838531
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FCMT199N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2950 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Power88
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
FCMT199
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ONSONSFCMT199N60
FCMT199N60CT
FCMT199N60TR
2156-FCMT199N60-OS
FCMT199N60DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPL60R185P7AUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5980
TEILNUMMER
IPL60R185P7AUMA1-DG
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