Hersteller Produktnummer:
FDZ663P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDZ663P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Inventar:
12838532
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FDZ663P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
525 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-WLCSP (0.8x0.8)
Paket / Koffer
4-XFBGA, WLCSP
Basis-Produktnummer
FDZ66
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
FDZ663PCT
FDZ663PDKR
FDZ663PTR
FDZ663P-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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