Hersteller Produktnummer:
IPL60R185P7AUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL60R185P7AUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
5980 Stück Neu Original Auf Lager
12822502
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IPL60R185P7AUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
81W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-VSON-4
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
IPL60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-IPL60R185P7AUMA1
SP001606056
IFEINFIPL60R185P7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1CT
IPL60R185P7AUMA1DKR
IPL60R185P7AUMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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