Hersteller Produktnummer:
FQP30N06
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP30N06-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
25711 Stück Neu Original Auf Lager
12838536
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FQP30N06 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
945 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FQP30N06-DG
2156-FQP30N06-OS
FQP30N06FS
ONSONSFQP30N06
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN4R6-60PS,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
7843
TEILNUMMER
PSMN4R6-60PS,127-DG
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1.15
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