Hersteller Produktnummer:
IPL65R195C7AUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL65R195C7AUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
2977 Stück Neu Original Auf Lager
12803532
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IPL65R195C7AUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ C7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 290µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-VSON-4
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
IPL65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IPL65R195C7AUMA1-DG
INFINFIPL65R195C7AUMA1
448-IPL65R195C7AUMA1DKR
2156-IPL65R195C7AUMA1
SP001032726
448-IPL65R195C7AUMA1CT
448-IPL65R195C7AUMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCMT199N60
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
18529
TEILNUMMER
FCMT199N60-DG
Einheitspreis
2.36
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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