Hersteller Produktnummer:
SI5441DC-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5441DC-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
13062311
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI5441DC-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SI5441
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI5457DC-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
28298
TEILNUMMER
SI5457DC-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHF530STRL-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
SI4456DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
