SIHF530STRL-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHF530STRL-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHF530STRL-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

700 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHF530STRL-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHF530

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHF530STRL-GE3
HTML-Datenblatt
SIHF530STRL-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
742-SIHF530STRL-GE3TR
742-SIHF530STRL-GE3DKR
SIHF530STRL-GE3-ND
742-SIHF530STRL-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF530STRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4887
TEILNUMMER
IRF530STRLPBF-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IRF530STRRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
468
TEILNUMMER
IRF530STRRPBF-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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