Hersteller Produktnummer:
SI4456DY-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4456DY-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2500 Stück Neu Original Auf Lager
13062361
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SI4456DY-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5670 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4456
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4456DYT1E3
SI4456DY-T1-E3TR
SI4456DY-T1-E3DKR
SI4456DY-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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