Hersteller Produktnummer:
SI7621DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7621DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
13062578
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI7621DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SI7621
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7621DN-T1-GE3CT
SI7621DNT1GE3
SI7621DN-T1-GE3DKR
SI7621DN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI7615ADN-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
68070
TEILNUMMER
SI7615ADN-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
SIHF18N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
SQJQ404E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
