Hersteller Produktnummer:
SI7909DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7909DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventar:
12915719
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SI7909DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 7.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer
SI7909
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI7913DN-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1751
TEILNUMMER
SI7913DN-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.62
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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