Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SI4906DY-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4906DY-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12915726
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI4906DY-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
625pF @ 20V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4906
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SI4906DY-T1-E3
HTML-Datenblatt
SI4906DY-T1-E3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4906DY-T1-E3TR
SI4906DYT1E3
SI4906DY-T1-E3DKR
SI4906DY-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF7103TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9567
TEILNUMMER
IRF7103TRPBF-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN4034SSD-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
48585
TEILNUMMER
DMN4034SSD-13-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN4031SSD-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2492
TEILNUMMER
DMN4031SSD-13-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SH8K26GZ0TB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2383
TEILNUMMER
SH8K26GZ0TB-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
NCV8402ADDR2G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
25788
TEILNUMMER
NCV8402ADDR2G-DG
Einheitspreis
0.54
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQJB42EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
SI1902DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SI7844DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8