SI7913DN-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI7913DN-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7913DN-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Inventar:

1751 Stück Neu Original Auf Lager
12911528
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SI7913DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer
SI7913

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7913DN-T1-GE3-DG
SI7913DN-T1-GE3CT
SI7913DNT1GE3
SI7913DN-T1-GE3TR
SI7913DN-T1-GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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