Hersteller Produktnummer:
SI3552DV-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI3552DV-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 2.5A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
1817 Stück Neu Original Auf Lager
12915740
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SI3552DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.15W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
SI3552
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI3552DV-T1-GE3TR
SI3552DV-T1-GE3CT
SI3552DV-T1-GE3DKR
SI3552DVT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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