SI3476DV-T1-BE3

Hersteller Produktnummer:

SI3476DV-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3476DV-T1-BE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 80 V 3.5A (Ta), 4.6A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

5950 Stück Neu Original Auf Lager

12977722

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SI3476DV-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

80 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

3.5A (Ta), 4.6A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

93mOhm @ 3.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

195 pF @ 40 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

6-TSOP

Paket / Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

742-SI3476DV-T1-BE3TR

742-SI3476DV-T1-BE3DKR

742-SI3476DV-T1-BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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