Hersteller Produktnummer:
SIDR610DP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIDR610DP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventar:
12977727
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SIDR610DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1380 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIDR610DP-T1-RE3TR
742-SIDR610DP-T1-RE3DKR
742-SIDR610DP-T1-RE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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