SI2399DS-T1-BE3

Hersteller Produktnummer:

SI2399DS-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI2399DS-T1-BE3-DG

Beschreibung:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 20 V 5.1A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

2480 Stück Neu Original Auf Lager

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SI2399DS-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

5.1A (Ta), 6A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

2.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.1A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

835 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

742-SI2399DS-T1-BE3TR

742-SI2399DS-T1-BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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