SI3437DV-T1-BE3
Hersteller Produktnummer:

SI3437DV-T1-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3437DV-T1-BE3-DG

Beschreibung:

P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 150 V 1.1A (Ta), 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

2695 Stück Neu Original Auf Lager
12977723
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI3437DV-T1-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI3437DV

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI3437DV-T1-BE3DKR
742-SI3437DV-T1-BE3CT
742-SI3437DV-T1-BE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SQJA64EP-T1_BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2399DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIDR610DP-T1-RE3

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHA22N60E-GE3

N-CHANNEL 600V