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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
TPH3206LSB
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TPH3206LSB-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13446056
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TPH3206LSB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 480 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
81W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
3-PQFN (8x8)
Paket / Koffer
3-PowerDFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
60
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TP65H150G4LSG
HERSTELLER
Transphorm
VERFÜGBARE ANZAHL
2939
TEILNUMMER
TP65H150G4LSG-DG
Einheitspreis
2.18
ERSATZART
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