Hersteller Produktnummer:
TP65H070LDG
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TP65H070LDG-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventar:
13446137
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TP65H070LDG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
TP65H070L
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
3-PQFN (8x8)
Paket / Koffer
3-PowerDFN
Basis-Produktnummer
TP65H070
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
60
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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