Hersteller Produktnummer:
TP65H035WSQA
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TP65H035WSQA-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
202 Stück Neu Original Auf Lager
13446162
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TP65H035WSQA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
TP65H035
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
60
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TPH3208LDG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3208LS
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
