Hersteller Produktnummer:
TP65H150G4LSG
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TP65H150G4LSG-DG
Beschreibung:
GAN FET N-CH 650V PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventar:
2939 Stück Neu Original Auf Lager
13275976
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TP65H150G4LSG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
3-PQFN (8x8)
Paket / Koffer
3-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TP65H150
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TP65H150G4LSG-TR
HERSTELLER
Transphorm
VERFÜGBARE ANZAHL
2884
TEILNUMMER
TP65H150G4LSG-TR-DG
Einheitspreis
2.18
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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