Hersteller Produktnummer:
STY139N65M5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STY139N65M5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 130A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Inventar:
12876994
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STY139N65M5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
363 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15600 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
MAX247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STY139
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-13043-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW65R019C7FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1042
TEILNUMMER
IPW65R019C7FKSA1-DG
Einheitspreis
13.43
ERSATZART
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