Hersteller Produktnummer:
STW6N120K3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW6N120K3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12877002
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STW6N120K3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1050 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW6N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-12124
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFH6N100F
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFH6N100F-DG
Einheitspreis
6.29
ERSATZART
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