Hersteller Produktnummer:
STP24NM65N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP24NM65N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12877006
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STP24NM65N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP24N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1026-STP24NM65N
497-7026-5
-497-7026-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP65R190E6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
580
TEILNUMMER
IPP65R190E6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.52
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