Hersteller Produktnummer:
STP30N20
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP30N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12877022
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Menge
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STP30N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1597 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP30N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-5129-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB4620PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
724
TEILNUMMER
IRFB4620PBF-DG
Einheitspreis
1.02
ERSATZART
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