Hersteller Produktnummer:
STB22NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB22NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12877056
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STB22NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB22
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-10298-2
-497-10298-6
497-10298-1
-497-10298-1
-497-10298-2
497-10298-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6015ENJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4
TEILNUMMER
R6015ENJTL-DG
Einheitspreis
1.65
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