R6015ENJTL
Hersteller Produktnummer:

R6015ENJTL

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

R6015ENJTL-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS

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R6015ENJTL Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LPTS
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
R6015

Datenblatt & Dokumente

Design-Ressourcen
LPTSNi Inner Structure
Datenblätter
R6015ENJTL LPTS TL Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
R6015ENJTLTR
R6015ENJTLCT
R6015ENJTLDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
TK14G65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3525
TEILNUMMER
TK14G65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.93
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STB25N80K5
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2.75
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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