Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
1265 Stück Neu Original Auf Lager
12800409
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB60R190C6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ C6
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 630µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB60R190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPB60R190C6ATMA1
HTML-Datenblatt
IPB60R190C6ATMA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCB20N60FTM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2398
TEILNUMMER
FCB20N60FTM-DG
Einheitspreis
2.61
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TK20G60W,RVQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TK20G60W,RVQ-DG
Einheitspreis
1.14
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB20N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
845
TEILNUMMER
STB20N65M5-DG
Einheitspreis
1.46
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIHB18N60E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHB18N60E-GE3-DG
Einheitspreis
1.49
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB21N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1748
TEILNUMMER
STB21N65M5-DG
Einheitspreis
2.31
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
IPC60N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23