STB5N52K3
Hersteller Produktnummer:

STB5N52K3

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB5N52K3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 525 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12877058
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STB5N52K3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
525 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
545 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB5N

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-11091-6
497-11091-1
-497-11091-6
497-11091-2
-497-11091-2
-497-11091-1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF830STRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1310
TEILNUMMER
IRF830STRLPBF-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
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