Hersteller Produktnummer:
R6061YNZ4C13
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6061YNZ4C13-DG
Beschreibung:
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 568W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
596 Stück Neu Original Auf Lager
13005798
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R6061YNZ4C13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
568W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6061
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6061YNZ4C13
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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