Hersteller Produktnummer:
IAUCN04S7N004ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUCN04S7N004ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET_(20V 40V)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 175A 219W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53
Inventar:
1899 Stück Neu Original Auf Lager
13005801
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IAUCN04S7N004ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
175A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.44mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11310 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
219W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-53
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IAUCN04S7N004ATMA1DKR
448-IAUCN04S7N004ATMA1CT
SP005402881
448-IAUCN04S7N004ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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