Hersteller Produktnummer:
TPH9R00CQ5,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH9R00CQ5,LQ-DG
Beschreibung:
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
3785 Stück Neu Original Auf Lager
13005802
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EINREICHEN
TPH9R00CQ5,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5400 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPH9R00CQ5,LQTR-DG
264-TPH9R00CQ5,LQCT-DG
264-TPH9R00CQ5,LQDKR
264-TPH9R00CQ5,LQDKR-DG
264-TPH9R00CQ5LQDKR
TPH9R00CQ5,LQ(M1
264-TPH9R00CQ5,LQCT
264-TPH9R00CQ5LQCT
264-TPH9R00CQ5,LQTR
264-TPH9R00CQ5LQTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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