Hersteller Produktnummer:
XPJR6604PB,LXHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XPJR6604PB,LXHQ-DG
Beschreibung:
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount S-TOGL™
Inventar:
2857 Stück Neu Original Auf Lager
13005807
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XPJR6604PB,LXHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.66mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11380 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
S-TOGL™
Paket / Koffer
5-PowerSFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
264-XPJR6604PB,LXHQDKR
264-XPJR6604PB,LXHQTR-DG
264-XPJR6604PBLXHQCT
XPJR6604PB,LXHQ(O
264-XPJR6604PB,LXHQCT
264-XPJR6604PB,LXHQDKR-DG
264-XPJR6604PB,LXHQTR
264-XPJR6604PB,LXHQCT-DG
264-XPJR6604PBLXHQTR
264-XPJR6604PBLXHQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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