Hersteller Produktnummer:
FCP110N65F
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP110N65F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
12850590
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FCP110N65F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
FRFET®, SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FCP110N65FOS
FCP110N65F-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP30N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
5189
TEILNUMMER
STP30N65M5-DG
Einheitspreis
3.17
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STP40N65M2-DG
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