STP35N60DM2
Hersteller Produktnummer:

STP35N60DM2

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP35N60DM2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

12873706
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STP35N60DM2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ DM2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP35

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
5060-STP35N60DM2
497-16359-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FCP099N60E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
390
TEILNUMMER
FCP099N60E-DG
Einheitspreis
2.76
ERSATZART
Similar
Teilenummer
FCP125N60E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
253
TEILNUMMER
FCP125N60E-DG
Einheitspreis
2.44
ERSATZART
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R6035VNX3C16
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ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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