Hersteller Produktnummer:

FDMC8622

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMC8622-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 100 V 4A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventar:

22652 Stück Neu Original Auf Lager

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FDMC8622 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

PowerTrench®

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

4A (Ta), 16A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.3 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

402 pF @ 50 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-MLP (3.3x3.3)

Paket / Koffer

8-PowerWDFN

Basis-Produktnummer

FDMC86

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

FDMC8622DKR

FDMC8622-DG

FDMC8622CT

FDMC8622TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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