Hersteller Produktnummer:
FCH110N65F-F155
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCH110N65F-F155-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
69 Stück Neu Original Auf Lager
12946290
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FCH110N65F-F155 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
FRFET®, SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
69
Andere Namen
2156-FCH110N65F-F155
ONSFSCFCH110N65F-F155
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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