DMTH4M70SPGW-13
Hersteller Produktnummer:

DMTH4M70SPGW-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH4M70SPGW-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 460A (Tc) 5.6W (Ta), 428W (Tc) Surface Mount PowerDI8080-5

Inventar:

13000873
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMTH4M70SPGW-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
460A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
117.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10053 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI8080-5
Paket / Koffer
SOT-1235

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMTH4M70SPGW-13TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMTH4M70SPGWQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2845
TEILNUMMER
DMTH4M70SPGWQ-13-DG
Einheitspreis
1.67
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMT69M5LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

onsemi

NVMFS003P03P8ZT1G

PFET SO8FL -30V 3MO

goford-semiconductor

G2014

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M

onsemi

NTMFS5C645NT1G

60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL