Hersteller Produktnummer:
G2014
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G2014-DG
Beschreibung:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
2960 Stück Neu Original Auf Lager
13000887
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G2014 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1710 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DFN (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3141-G2014DKR
4822-G2014TR
3141-G2014CT
3141-G2014TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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