NTMFS5C645NT1G
Hersteller Produktnummer:

NTMFS5C645NT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTMFS5C645NT1G-DG

Beschreibung:

60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 94A (Tc) 3.7W (Ta), 80W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventar:

1458 Stück Neu Original Auf Lager
13000888
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

NTMFS5C645NT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1510 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 80W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NTMFS5C645NT1GCT
488-NTMFS5C645NT1GTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RS6L120BGTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2236
TEILNUMMER
RS6L120BGTB1-DG
Einheitspreis
1.53
ERSATZART
Similar
Teilenummer
RS6L090BGTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2206
TEILNUMMER
RS6L090BGTB1-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
goford-semiconductor

G40P03K

P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<

microchip-technology

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

diodes

DMT69M5LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

rohm-semi

SCT4036KEHRC11

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST