Hersteller Produktnummer:
DMT69M5LFVWQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT69M5LFVWQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
13000877
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Menge
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DMT69M5LFVWQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMT69M5LFVWQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMT69M5LFVWQ-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMT69M5LFVWQ-7-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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