DMT69M5LFVWQ-7
Hersteller Produktnummer:

DMT69M5LFVWQ-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT69M5LFVWQ-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

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DMT69M5LFVWQ-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer
8-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT69M5LFVWQ

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMT69M5LFVWQ-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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