Hersteller Produktnummer:
DMP27M1UPSW-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP27M1UPSW-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 84A (Tc) 1.95W (Ta), 3.57W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventar:
12993066
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DMP27M1UPSW-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4777 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.95W (Ta), 3.57W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMP27
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMP27M1UPSW-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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