Hersteller Produktnummer:
DMTH10H032SPSWQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH10H032SPSWQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventar:
12993071
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DMTH10H032SPSWQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
544 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMTH10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMTH10H032SPSWQ-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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