DMPH16M1UPSW-13
Hersteller Produktnummer:

DMPH16M1UPSW-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMPH16M1UPSW-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 96A (Tc) 1.95W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventar:

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DMPH16M1UPSW-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5392 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.95W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMPH16

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMPH16M1UPSW-13
HTML-Datenblatt
DMPH16M1UPSW-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMPH16M1UPSW-13

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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