ISC015N04NM5ATMA1
Hersteller Produktnummer:

ISC015N04NM5ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

ISC015N04NM5ATMA1-DG

Beschreibung:

40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventar:

1719 Stück Neu Original Auf Lager
12993090
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

ISC015N04NM5ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™-5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Ta), 206A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8 FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISC015N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISC015N04NM5ATMA1DKR
SP005352240
448-ISC015N04NM5ATMA1CT
448-ISC015N04NM5ATMA1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

ISC028N04NM5ATMA1

40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

infineon-technologies

ISC0805NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

global-power-technologies-group

GCMS040B120S1-E1

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

vishay-siliconix

SIHP15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST