Hersteller Produktnummer:
DMG1016UDW-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG1016UDW-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 1.07A, 845mA 330mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
120386 Stück Neu Original Auf Lager
12902403
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMG1016UDW-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.07A, 845mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60.67pF @ 10V
Leistung - Max
330mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DMG1016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMG1016UDW-7DIDKR
DMG1016UDW-7DITR
DMG1016UDW7
DMG1016UDW-7DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
ZXMHN6A07T8TA
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
DMNH6042SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
ZXMC3AMCTA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
