ZXMC3AMCTA
Hersteller Produktnummer:

ZXMC3AMCTA

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

ZXMC3AMCTA-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount DFN3020B-8

Inventar:

30912 Stück Neu Original Auf Lager
12902619
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

ZXMC3AMCTA Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A, 2.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
190pF @ 25V
Leistung - Max
1.7W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN3020B-8
Basis-Produktnummer
ZXMC3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
ZXMC3AMCTA
HTML-Datenblatt
ZXMC3AMCTA-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ZXMC3AMCTADKR
ZXMC3AMCTACT
ZXMC3AMCTATR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
diodes

DMG6602SVTX-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

diodes

DMN1002UCA6-7

MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6

diodes

ZXMN6A09DN8TA

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

diodes

ZXMN6A09DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO