ZXMHN6A07T8TA
Hersteller Produktnummer:

ZXMHN6A07T8TA

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

ZXMHN6A07T8TA-DG

Beschreibung:

MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8

Inventar:

12902509
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

ZXMHN6A07T8TA Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
4 N-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
166pF @ 40V
Leistung - Max
1.6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-223-8
Gerätepaket für Lieferanten
SM8
Basis-Produktnummer
ZXMHN6A07T8

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
ZXMHN6A07T8DKR
1034-ZXMHN6A07T8CT
1034-ZXMHN6A07T8TR
ZXMHN6A07T8CT
1034-ZXMHN6A07T8DKR
ZXMHN6A07T8TA-DG
ZXMHN6A07T8TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMNH6042SSDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO

diodes

ZXMC3AMCTA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

diodes

DMG6602SVTX-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

diodes

DMN1002UCA6-7

MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6