DMG6602SVTX-7
Hersteller Produktnummer:

DMG6602SVTX-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMG6602SVTX-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount TSOT-26

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4623 Stück Neu Original Auf Lager
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DMG6602SVTX-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel Complementary
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Leistung - Max
840mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Basis-Produktnummer
DMG6602

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMG6602SVTX-7CT
31-DMG6602SVTX-7TR
31-DMG6602SVTX-7DKR
DMG6602SVTX-7-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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